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CP和FT简介

发布日期:2019-08-05 04:46   来源:未知   阅读:

  CP和FT简介_信息与通信_工程科技_专业资料。CP 是把坏的 Die 挑出来, 可以减少封装和测试的成本。 可以更直接的知道 Wafer 的良率。FT 是把坏的 chip 挑出来;检验封装的良率。 8% 现在对于一般的 wafer 工艺,很多公司

  CP 是把坏的 Die 挑出来, 可以减少封装和测试的成本。 可以更直接的知道 Wafer 的良率。FT 是把坏的 chip 挑出来;检验封装的良率。 8% 现在对于一般的 wafer 工艺,很多公司多吧 CP 给省了;减少成本。 CP 对整片Wafer的每个Die来测试 而FT 则对封装好的Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。然后FT,管家婆确保封装后也Pass。 WAT 是 Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各 步工艺是否正常和稳定; CP 是 wafer level 的 chip probing, 是整个 wafer 工艺, 包括 backgrinding 和 backmetal (if needed) , 对一些基本器件参数的测试,如 vt,Rdson,BVdss,Igss,Idss 等,一般测试机台的电压和功率不 会很高; FT 是 packaged chip level 的 Final Test,主要是对于这个(CP passed)IC 或 Device 芯片应用方 面的测试,有些甚至是待机测试; Pass FT 还不够,还需要作 process qual 和 product qual CP 测试对 Memory 来说还有一个非常 重要的作用,那就是通过 MRA 计算出 chip level 的 Repair address,通过 Laser Repair 将 CP 测试中的 Repairable die 修补回来,这样保证了 yield 和 reliability 两方面的提升。 CP 是对 wafer 进行测试,检查 fab 厂制造的工艺水平 FT 是对 package 进行测试,检查封装厂制 造的工艺水平 对于测试项来说,有些测试项在 CP 时会进行测试,在 FT 时就不用再次进行测试了,节省了 FT 测试时间;但是有些测试项必须在 FT 时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求) 一般来说,CP 测试的项目比较多,比较全;FT 测的项目比较少,但都是关键项目,条件严 格。但也有很多公司只做 FT 不做 CP(如果 FT 和封装 yield 高的话,CP 就失去意义了)。 在测 试方面,CP 比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。FT 相对来说简单一点。还有 一点,memory 测试的 CP 会更难,因为要做 redundancy analysis,写程序很麻烦。 CP 在整个制程中算是半成品测试,目的有 2 个,1 个是监控前道工艺良率,另 1 个是降低 后道成本(避免封装过多的坏芯片) ,其能够测试的项比 FT 要少些。最简单的一个例子,碰 到大电流测试项 CP 肯定是不测的(探针容许的电流有限) ,这项只能在封装后的 FT 测。 不 过许多项 CP 测试后 FT 的时候就可以免掉不测了 (可以提高效率) ,所以有时会觉得 FT 的测 试项比 CP 少很多。 应该说 WAT 的测试项目和 CP/FT 是不同的。CP 不是制造(FAB)测的!% Q) `8 而 CP 的项目 是从属于 FT 的(也就是说 CP 测的只会比 FT 少) ,香港马会一点红。项目是完全一样的;不同的是卡的 SPEC 而已;因为封装都会导致参数漂移,所以 CP 测试 SPEC 收的要比 FT 更紧以确保 最终成品 FT 良率。 还有相当多的 DH 把 wafer 做成几个系列通用的 die, 在 CP 时通过 trimming 来定向确定做成其系列中的某一款, 这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案; 所以除非你 公司的 wafer 封装成 device 是唯一的,且 WAT 良率在 99%左右,才会盲封的。 据我所知盲 封的 DH 很少很少,风险实在太大,不容易受控。 WAT:wafer level 的管芯或结构测试- ` t CP:wafer level 的电路测试含功能. FT:device level 的电路测试含功能. CP = chip probing. FT= FInal Test. , Y. A6 s CP 一般是在测试晶圆,封装之前 , 封装后都要 FT 的。不过 bump wafer 是在装上锡球, probing 后就没有 FT. s4 E$ r1 FT 是在封装之后, 也叫 “终测” 。 意思是说测试完这道就直接卖去做 application. CP 用 prober, probe card。FT 是 handler, socket. CP 比 较 常 见 的 是 room temperature = 25 度 ,FT 可 能 一 般 就 是 75 或 90 度 CP 没 有 QA buy-off, FT 有 CP 两方面 1. 监控工艺.所以呢,觉得 probe 实际属于 FAB 范畴 2. 控制成本。financial g ate。我们知道 FT 封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分, 所以把次品在 probe 中 reject 掉或者修复,最有利于控制成本 FT: 终测通常是测试项最多的测试了, 有些客户还要求 3 温测试, 成本也最大。至于测试项呢, 1. 如果测试时间很长,CP 和 FT 又都可以测,像 trim 项,加在 probe 能显著降低时间成本, 当然也看客户要求。 2. 关于大电流测试呢,FT 多些,但是我在 probe 也测过十几安培的功率 mosfet,一个 PAD 上十多个 needle。 3. 有些 PAD 会封装到 DEVICE 内部,在 FT 是看不到的,所以有些测试项只能在 CP 直接测, 像功率管的 GATE 端漏电流测试 Igss1 E+ T CP 测试主要是挑出坏 die,修补 die,然后保证 die 在基本的 spec 内,function well.1 X* t FT 测试主要是 package 完后, 保证 die 在严格的 spec 内能够 function.$ CP 的难点在于, 如何 在最短的时间内挑出坏 die,修补 die。 FT 的难点在于,如何在最短的时间内,保证出厂的 Unit 能够完成全部的 Function。

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